电流密度：a.体电流密度  J=n*I/Δs        b.面电流密度  Js=n*I/ΔL        c.线电流密度  Jl=nI

       2.E的边界条件

          将方程应用于闭合路径c上，并令h-->0，得：n×（E1-E2）=0    写成标量形式，则为：E1t=E2t       

          即在不同媒质的分界面上，E的切向分量连续。

       3.D的边界条件

          在不同媒质的分界面上做一个小的圆柱形闭合面s，它位于上下底面分界面底两侧，

          并无限靠近且平行于分界面。面积Δs，高h-->0。将方程应用到闭合面s上，并令s-->0，得：

          n*（D1-D2）=ρs或写为：D1n-D2n=ρs

h趋于0时，体电荷密度“压缩”成面电荷密度。

          这表明，D的法向分量在不同的分界面上是不连续的，与分界面上的自由电荷密度有关。

       4.B的边界条件

          将方程应用于分界面上的闭合面s上，并令h-->0，得：n*（B1-B2）=0或写为：B1n=B2n

          这表明，B的法向分量在不同媒质的分界面上是连续的。

   二.  两种常用的特殊情况  

       1.两种无损耗介质的分界面

          无损耗介质，电导率σ=0，故分界面上一般不存在自由电荷和传导电流，即：ρs=0，Js=0

          则此时的边界条件为：

          n×（H1-H2）=0    n×（E1-E2）=0    n*（B1-B2）=0    n*（D1-D2）=0或

          H1t=H2t    E1t=E2t    B1n=B2n    D1n=D2n

      2.理想导体与介质的分界面

         设II区为理想导体，而σ2=∞；I区为介质，此时，E2=0，D2=0，B2=0，H2=0    则边界条件为：

         n×H1=Js    n×E1=0    n*B1=0    n*D1=0    或H1t=Js    E1t=0    B1n=0    D1n=ρs