在z=0处，电场满足边界条件E1t=E2t，磁场满足边界条件H1t=H2t，得：Ei0+Er0=Et0       

                     Ei0/η1-Er0/η1=Er0/η2        则Er0=(η2-η1)/(η2+η1)Ei0        Et0=2η2/(η2+η1)Ei0

                     定义反射系数Γ和透射系数τ，得Γ=Er0/Ei0=(η2-η1)/(η2+η1)，τ=Et0/Ei0=2η2/(η2+η1)

                     显然1+Γ=τ 则I区的总电场可表示为E1(z)=Et(z)+Er(z)=axEi0(e^-jβ1z+Γe^jβ1z)=

                     axEi0[(1+Γ)e^-jβ1z+Γ(j2sinβ1z)]        则I区的总磁场可表示为：H1(z)=ayEi0/η1(e^-jβ1z-Γe^jβ1z)

                     可见，I区的合成波电场包括两部分：前一部分Ei0(1+Γ)e^-jβ1z是幅值为Ei0(1+Γ)沿+z方向

                    传播的行波；后一部分Ei0Γ(j2sinβ1z)是幅值为2ΓEi0的驻波。二者合成为一行驻波。

                    讨论以下几个问题：1.场强最大值和最小值的位置I区中总电场可表示为：E1(z)=axEi0e^-jβ1z(1+Γe^j2β1z)

                    即E1(z)=axEi0e^-jβ1z[(1+Γcos2β1z) +jΓsin2β1z]        |E1(z)|=Ei0[1+Γ²+2Γcos2β1z]^1/2           可见，设Γ>0，

                    当2β1z=-2nπ，n=0，1，2......        即Zmax=-nπ/β1=-nλ1/2时，电场得到最大值|E1(z)|max=Ei0(1+Γ)

                    而当2β1z=-(2n+1)π即：Zmin=-(2n+1)π/2β1=-(2n+1)λ1/4时电场得到最小值|E1(z)|min=Ei0(1-Γ)

                    入射波到达分界面时，只有一部分反射，即反射波的振幅比入射波的小，反射波只能与一部分

                    入射波合成驻波。这时既有行波分量，又有驻波分量，称为行驻波。

               2.  驻波系数

                             引入驻波系数以表征合成波的特性，其定义是：电场强度的最大值与最小值之比。

                     表示为：S=|Emax|/|Emin|=(1+|Γ|)/(1-|Γ|)可得|Γ|=(s-1)/(s+1)  Γ的值：-1～+1  S的值：1～∞

                     Γ=±1 全反射，s=∞        Γ=0  无反射，s=0