1.半导体二极管

PN结是构成半导体二极管，三极管器件的基本组成部分。

1 PN结的形成

在一块本征半导体两侧，通过掺入不同杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。在二者的交界面上形成如下物理过程 因浓度差故P区空穴扩散到N区，N区的自由电子流向P区，在交界面附近产生复合，产生空间电荷区，它的作用与多子扩散反向，阻止扩散，促使少子漂移，形成漂移电流。与扩散电流方向相反，PN结存在两种相反运动：多子扩散运动（浓度）少子漂移运动（内电场）最后两者达到动态平衡。PN结宽度不变

PN结的几种名称

空间电荷区（由不能移动的正负离子构成）

耗尽层（无载流子）

阻挡层（阻挡多子扩散）

势垒区（N区电势比P区高）

PN结的伏安特性

1 PN结正偏置（P区接正极，N区接负极）

外加电压与内部电场相反，使扩散大于漂移，PN结变薄

PN结反向偏置（N区接正极，P区接负极）外部电压与内部电场同向，使扩散小于漂移，PN结变宽。漂移由本征激发产生的少子形成，

PN结的单向导电性：正偏导通，反偏截止。

PN结方程

主要由PN结构成的

2.PN结的伏安特性

PN结正向偏置(P区接正极，N区接负极）

PN结反向偏置（和上面相反），这时是不通的。

正偏导通，反偏截止。

3.PN结的击穿

当反向电压小于4伏为齐纳穿。大于时为雪崩击穿。

4.温度对PN结的影响。

 温度升高需要电压减小电流增大。

 反之。

5.PN结电容

  势垒电容（外加电压改变时使PN结容量减小或扩大）

  扩散电容（外加正偏变化时，PN结载流发生变化，也是电容特性）

6.晶体管

  核心是二极管