击穿区 截止区 死区 导通区

硅二极管    锗二极管 区别：1.正向导通电压不同  硅(0.7v)>锗(0.3v)      2.反向饱和电流Is不同 Si<Ge

温度对二极管特性的影响：正向电压随温度升高而降低（-2~-2.5mV/1C） 反向饱和电流随温度升高而升高（加倍/10C）

二极管主要参数：

极限参数 

最大平均整流电流IF：二极管允许流过的最大平均电流

最高反向工作电压UR：二极管不会出现反向击穿的最高允许电压

直流参数 反向饱和电流IR：又称性能参数

交流参数 最高工作频率fM：若加在二极管上的交流电压频率超过此值，二极管的单向导电性将明显变差

二极管模型

开关模型：将二极管理想化即正偏短路（U=0），反偏开路（I=0）构成

恒压源模型：将二极管用理想二极管串联电压源（UD）构成

折线等效大信号

小信号等效电路二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻

稳压二极管是一种特殊二极管，与普通二极管工作在正向，反向特性区不同，稳压管是专门工作于反向击穿区

工作原理：利用反向击穿后电流在一定范围内变化时，其端电压几乎不变的特点在电路中做稳压使用

参数：稳定电压Uz  最小稳定电流Izmin：保证稳压管性能的最小工作电流  Izmax：防止稳压管过热发生热击穿而设定的限制电流

动态电阻 额定功耗Pz：Pz=UzIzmax  稳压管不发生热击穿的最大功率损耗 电压温度系数：稳压值受温度变化的影响程度

Uz>7v，系数为正；Uz<7v,系数为负；Uz在4~7V范围的稳压管性能比较稳定

外加电压Ui应使Dz处于反向偏置 稳压管Dz与负载电阻并联 R为限流电阻以保证Izmin<=Iz<=Izmax 输出电压U0即为Uz