模拟电路中讨论三极管在放大区    数字电路中讨论三极管在饱和区和截止区

ICBO，ICEO大小反映了其温度的稳定性

fT，fB表示三极管的高频放大能力

BTJ分类：

BTJ按结构分，有NPN型和PNP型两种，他们的电压极性和电流方向相反

BTJ按材料分有硅管和锗管，他们的发射结正向压降UBE以及反向饱和电流ICBO不同，

由于硅材料的温度稳定性优于锗材料，故硅管得到广泛应用

场效应三极管

FET是另一种半导体器件 主要特点：输入电阻高，温度稳定性好，工艺简单，便于集成

他们在现代集成电路中得到了广泛应用

FET分类

按结构分为：结型N沟道（N-JFET） P沟道（P-JFET） 绝缘栅（IGFET-->MOSFET） N沟道 P沟道

按特性（工作方式）分为：耗尽型 JFET MOSFET     增强型 MOSFET

以箭头指向区别类型：靠近栅极（G）为源极（S）端

引出三个电极：源极（S极）-->类似于BTJ的E极 漏极（D极）-->C极  栅极（G极）-->B极

利用外加电压（uGS，uDS）改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流iD的大小，即利用半导体内的电场效应，

通过改变耗尽层宽度来改变导电沟道的宽窄，从而控制iD的大小

1.uGS的控制作用（uDS=0） 对于N沟道，uGS应为负电压，即PN结应处于反偏状态

当vGS绝对值增加-->耗尽层宽度增加-->导电沟道变窄   

当uGS=Up时，沟道被耗尽层夹断，导电沟道不存在，这种现象称为全夹断

Up：夹断电压，沟道刚处于全夹断时对应的uGS

2.uDS的控制作用（uGS=0）

沟道点位由D-->S逐渐减小，故其特点为：导电沟道为不等宽的非均匀沟道

D处耗尽层最宽，导电沟道最窄；S处耗尽层最窄，导电沟道最宽

沟道内电子在uDS作用下形成iD（D-->S）

iD和uDS的关系与uDS大小有关：

当uDS较小（<200mv）时，iD随uDS近似成比例增加；

当uDS增加时，随着UDS增加，耗尽层加宽，沟道变窄，使iD随uDS增加的速度变缓

当再增大uDS时，使uGD=Up时，耗尽层在靠近D处合拢（点接触）。这种靠近D处的导电沟道刚刚消失的状态称为“预夹断”。

此时对应的iD称为饱和漏电流IDSS。此时再增大uDS，沟道对应的状态是由一点接触（预夹断）到一段接触（部分夹断）。

iD基本不变（饱和）当uDS增加至某值（BUDS），iD急速增加（击穿）。此时的漏源电压即PN结击穿电压，称为漏源击穿电压

       发射极正偏集电极反偏BJT管工作在放大状态；发射机反偏或为零时BJT管工作在截止状态；发射极正偏集电极正偏BJT管工作在饱和状态；P端电压大于N端电压为正偏。