N-JFET特性曲线及参数  用转移特性曲线和输出特性曲线描述

用漏极的电流和栅源极的电压    转移特性曲线    用漏极的电流和漏源极的电压    输出特性曲线

输出特性曲线

可变电阻区：对应预夹断以前的状态（uDS<uGS-up）,在该区，等效为一个受uGS控制的电阻RDS

恒流区（线性放大区）：对应预夹断后的部分夹断状态。（uDS>uGS-up）.在该区，DS等效为一个受uGS控制的电流源（VCCS）

夹断区：对应uGS<Up的区域，此时沟道全夹断（iD=0）。在该区，DS间相当于开路。

击穿区：uDS过大，会使DG间PN击穿，使用时不能工作于此区

转移特性曲线  Up<uGS<0  （放大区内）

P-JFET归纳

外加直流电源极性与N-JFET相反：uGS>0,uDS<0      Up>0     iD：流出漏极为真实方向，即iD由S-->D;

输出特性中的参变量uGS为正值，曲线在第三象限    转移特性曲线在第四象限

IDSS称为饱和漏电流，它是uGS=0的那一条输出特性曲线对应的漏极电流

MOSFET

目前应用最多的绝缘栅场效应管是以SiO2作为金属（铝）和半导体材料之间的绝缘层，称为金属-氧化物-半导体场效应管（简称MOS管）

MOSFET分为N沟道 耗尽型 增强型    P沟道 耗尽型 增强型

耗尽型：uGS=0时管子内部已存在导电沟道 增强型：uGS=0时管子内部不存在导电沟道

说明：

由沟道导线为虚线，实线区分增强性，耗尽型管子  

由箭头指向（P-->N）区分N沟道，P沟道管子

电路中衬底B通常与源极S相连，以此区分源极和漏极

uGS=0，不存在导电沟道（D-S间不通）；uGS>0,GB间产生的垂直向下的电场

当uGS增加，因空穴被排斥而在衬底表面形成负离子层（耗尽层），uGS增加至某值时，在绝缘层与耗尽层之间形成一个电子层

即N型薄层（反型层），他沟通了S和D，是一个感生沟道，称为N沟道，此时对应的uGS值称为开启电压，uGS>UT形成导电沟道

感生沟道即导电沟道，形成感生沟道后，若此时uDS>0,将形成iD（D-->S）；若uDS一定，当uGS越大，感应电荷越多，

导电沟道越厚（宽），iD越大，反之，uGS越小，iD越小。实现了uGS对iD的控制作用。

当uGS>UT,导电沟道行成后，MOSFET的uGS，uDS对iD及导电沟道的影响与JFET十分相似

即：uGS变化-->整个沟道宽度变化；uDS变化-->沟道成为非均匀沟道

故管子的对应状态也分：全夹断状态 未夹断状态 预夹断状态 部分夹断状态