N沟道耗尽型MOSFET结构和工作原理

管子存在原始导电沟道，只要UDS>0,就有iD

加入uGS可改变原电场强度：

当uGS>0时，加强原电场，沟道加宽，iD增加

当uGS<0时，削弱原电场，沟道变窄，iD减小

当uGS达到某一负电压Up时，外电场抵消原始自建电场，沟道消失，iD=0

故耗尽型MOS管的uGS可在一定范围（正~负）控制iD

Up：称为耗尽型管的夹断电压，其值为反型层即（原始沟道）刚刚消失时对应的uGS

六种类型场效应管转移特性归纳

场效应管主要参数

直流参数  

饱和漏极电流IDSS 夹断电压Up（结型，耗尽型管） 开启电压UT（增强型管） 直流输入电阻RGS（其值非常高）

场效应管栅极无电流，没有输入特性，只有转移特性

交流参数

低频跨导gm 单位：西门子（S）  漏极内阻（管子输出电阻）  极间电容Cgs，Cgd，Cds（决定管子高频性能）

极限参数

漏极最大允许耗散功率PDM    漏源击穿电压U（BR）DS   栅源击穿电压U（BR）GS

小结

1.FET是通过uGS来控制iD的，是电压控制器。。可用转移特性曲线和转移特性方程描述

2.输出特性分为三个区：可变电阻区，恒流区（放大区）及夹断区（截止区）。对应的管子状态为未夹断状态，

部分夹断状态和全夹断状态。在放大电路中场效应管应工作于恒流区（放大区）

3.J-FET    G，S极间的PN结为反向偏置 uGS，uDS极性必须相反  uGS=0时就存在原始沟道，外加uDS后，形成

iD。其工作方式属于耗尽型   D，S极可互换使用

4.MOS-FET   工作方式分为耗尽型和增强型  输入电阻极高，同时带来其绝缘层易损坏的弱点

有四根引出线是，D，S可互换使用，三根引出线时，D，S不能互换

5.参数

直流参数：IDSS，Vp（耗尽型），VT（增强型）  交流参数：gm，rds    极限参数：PDM，BVDS，BVGS