FET的交流参数：

1.低频跨导gm  单位：西门子（S）      该参数反映了在工作点Q处uGS对iD的控制能力

对结型和耗尽型: iD=IDSS*(1-uGS/Up)^2        gm=（2/|Up|）√（ID*IDSS）     

                增强型: iD=IDO*(UGS/UT-1)^2         gm=(2/UT)√(IDO*ID)

2.漏极内阻（管子输出电阻） 

3.极间电容Cgs，Cgd，Cds

FET的小信号模型      导出：iD=f（uGS，uDS）在Q点对iD全微分有id=gm*Ugs+（1/rds）*Uds

分析方法与BTJ放大电路相同，为三个步骤：

画出放大电路的交流通路    

用FET低频小信号模型取代交流通路中的FET得其小信号等效电路

由交流指标定义式，利用线性电路的分析方法求解

说明：

1.由于FET的跨导gm比较小，故CS放大器的Au一般比CE放大器的Au小

2.由于FET是平方伏安关系器件，BJT是指数伏安关系器件，故FET的小信号范围>>BJT的小信号范围